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DRAM 晶片製造;DDR3、DDR4、DDR5,密度與速度依料號。
DRAM 晶片用來暫存正在處理的資料;DDR3、DDR4、DDR5 的電壓、訊號與平台不同。Gb 是晶片容量,GB 是常見模組容量,8Gb 等於 1GB。
DRAM 晶片製造;DDR3、DDR4、DDR5,密度與速度依料號。
利基型 DDR3/DDR4、低功耗記憶體;另外供應 NOR 與 SLC NAND。
利基型 SDR/DDR/DDR2/DDR3/DDR4 晶片設計及 SLC NAND。
利基 DRAM 設計:DDR3 512Mb–8Gb、DDR4 4–8Gb、LPDDR4/4X 1–8Gb;範圍依產品表。
DRAM 晶片與模組;DDR、LPDDR、GDDR、HBM 分屬不同產品線。
韓國三星電子;DDR、LPDDR、GDDR 與 HBM,以及 NAND/SSD。
韓國 SK 海力士;DDR5、LPDDR5X/SOCAMM2、HBM 與 NAND/企業 SSD。