Micron ↗
HBM、DRAM 與 NAND；不同產品的製程與封裝不同
COMPONENT & MATERIAL
NAND 記憶體晶粒
非揮發性儲存陣列。3D NAND 的垂直儲存層與 HBM 疊多顆 DRAM 的方式不同。
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此類產品的公司
NAND 記憶體晶粒：公司做的是哪一塊？
KIOXIA 鎧俠 ↗
NAND 快閃記憶體與資料中心 SSD；負責保存資料，不是 HBM 工作記憶體。
SanDisk ↗
NAND Flash 晶片；3D NAND 的儲存層與 HBM 多顆 DRAM 堆疊不同。
Samsung ↗
NAND Flash 晶片；3D NAND 的儲存層與 HBM 多顆 DRAM 堆疊不同。
SK hynix ↗
NAND Flash 晶片；3D NAND 的儲存層與 HBM 多顆 DRAM 堆疊不同。