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DRAM 晶片與模組;DDR、LPDDR、GDDR、HBM 分屬不同產品線。
伺服器用模組加入 RCD,緩衝時脈與命令/位址訊號,配合 ECC 與支援的伺服器平台;不能當作一般桌機 UDIMM 直接替換。
DRAM 晶片與模組;DDR、LPDDR、GDDR、HBM 分屬不同產品線。
韓國三星電子;DDR、LPDDR、GDDR 與 HBM,以及 NAND/SSD。
韓國 SK 海力士;DDR5、LPDDR5X/SOCAMM2、HBM 與 NAND/企業 SSD。
DDR3/DDR4/DDR5 記憶體模組;整合 DRAM 晶片、PCB 與測試,規格依各產品系列。
DDR3/DDR4/DDR5 記憶體模組;整合 DRAM 晶片、PCB 與測試,規格依各產品系列。
以下是常見標準規格例子;不是每家公司每個料號都供應全部速度。MT/s 是每秒傳輸次數,不是容量,也不直接等於處理器時脈。
| 世代 | 標準核心電壓 | 常見速率例子 | 用在哪裡 |
|---|---|---|---|
| DDR3/DDR3L ↗ | 1.5V/1.35V | 1333–1866 MT/s | 舊型 PC、網通、工控 |
| DDR4 ↗ | 1.2V | 2133–3200 MT/s | PC、伺服器、工控平台 |
| DDR5 ↗ | 1.1V | 4800/5600/6400 MT/s | 新世代 PC、伺服器 |
不同世代不能互插。DDR4 和 DDR5 即使都是 288-pin DIMM,缺口、供電與訊號仍不同。UDIMM 是一般未緩衝模組,SO-DIMM 較短;RDIMM 用在支援它的伺服器。DDR5 晶粒內的 on-die ECC,也不等於整台系統具備完整 ECC 保護。
8Gb 晶片 = 1GB;例如 8 顆 8Gb 晶片合計 8GB。ECC 與特殊組織另計,不能只數外面黑色封裝判斷容量。
DDR4-3200 表示 3200 MT/s。模組標示的最高速率還要看 CPU、主板、插滿幾條及設定;超頻數字要與標準規格分開。
工控/車用需核對溫度範圍、供貨年限與認證;伺服器需核對 ECC、RDIMM 與平台支援,不能只比較 GB 大小。