DRAM：運算的工作桌
CPU 用 DDR 或 LPDDR，GPU 依架構用 HBM 或 GDDR。斷電後工作資料不會保留。
記憶體與儲存小鎮
先分清楚工作桌與倉庫，再看世代、規格與公司。
Flash／HDD：保存資料的倉庫
NAND 組成 SSD；NOR 保存韌體；HDD 使用磁碟片。把檔案載入工作桌後，處理器才開始運算。
痛點：各種設備要的不一樣
AI 需要高頻寬；手機要省電；工控要長期穩定供貨；資料中心要容量、壽命與成本。舊世代並非沒有用途。
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此類產品的公司
DDR3、DDR4、DDR5 差在哪裡？
以下是常見標準規格例子；不是每家公司每個料號都供應全部速度。MT/s 是每秒傳輸次數，不是容量，也不直接等於處理器時脈。
| 世代 | 標準核心電壓 | 常見速率例子 | 用在哪裡 |
|---|---|---|---|
| DDR3／DDR3L ↗ | 1.5V／1.35V | 1333–1866 MT/s | 舊型 PC、網通、工控 |
| DDR4 ↗ | 1.2V | 2133–3200 MT/s | PC、伺服器、工控平台 |
| DDR5 ↗ | 1.1V | 4800／5600／6400 MT/s | 新世代 PC、伺服器 |
不同世代不能互插。DDR4 和 DDR5 即使都是 288-pin DIMM，缺口、供電與訊號仍不同。UDIMM 是一般未緩衝模組，SO-DIMM 較短；RDIMM 用在支援它的伺服器。DDR5 晶粒內的 on-die ECC，也不等於整台系統具備完整 ECC 保護。
容量：能放多少
8Gb 晶片 = 1GB；例如 8 顆 8Gb 晶片合計 8GB。ECC 與特殊組織另計，不能只數外面黑色封裝判斷容量。
速率：搬資料多快
DDR4-3200 表示 3200 MT/s。模組標示的最高速率還要看 CPU、主板、插滿幾條及設定；超頻數字要與標準規格分開。
可靠度：適不適合設備
工控／車用需核對溫度範圍、供貨年限與認證；伺服器需核對 ECC、RDIMM 與平台支援，不能只比較 GB 大小。
沿著商品拆開
DDR3／DDR3L 記憶體模組 ↗
DDR3 是記憶體世代，DIMM／SO-DIMM 是模組外形。1.5V；DDR3L 1.35V；常見 1333／1600／1866 MT/s。不同 DDR 世代不能互插；伺服器 RDIMM 與一般 UDIMM 也要配合主板支援。
DDR4 記憶體模組 ↗
DDR4 是記憶體世代，DIMM／SO-DIMM 是模組外形。1.2V；常見 2133／2400／2666／3200 MT/s。不同 DDR 世代不能互插；伺服器 RDIMM 與一般 UDIMM 也要配合主板支援。
DDR5 記憶體模組 ↗
DDR5 是記憶體世代，DIMM／SO-DIMM 是模組外形。1.1V；常見 4800／5600／6400 MT/s。不同 DDR 世代不能互插；伺服器 RDIMM 與一般 UDIMM 也要配合主板支援。
DDR5 RDIMM 伺服器記憶體 ↗
伺服器用模組加入 RCD，緩衝時脈與命令／位址訊號，配合 ECC 與支援的伺服器平台；不能當作一般桌機 UDIMM 直接替換。
LPDDR／統一記憶體 ↗
低功耗 DRAM 常焊在手機、筆電或運算模組上。LPDDR4／4X、LPDDR5／5X 依平台採用；台廠的利基低功耗產品不能直接視為最新手機的供貨名單。統一記憶體是 CPU／GPU 共用資源的架構，不是另一種記憶體晶片。
HBM 堆疊記憶體 ↗
多層 DRAM 疊在基底上，透過高密度垂直互連和寬介面供 GPU 使用。層數／基底設計依 HBM 世代與產品。
GDDR 顯示記憶體 ↗
GPU 板上的獨立記憶體封裝，與 HBM 在中介層上的堆疊不同。示意形狀不是指定料號。
PSRAM 低功耗記憶體 ↗
像內建整理員的小型工作桌：內部自動刷新資料，減輕主控管理負擔。常見於穿戴、IoT、顯示與嵌入式系統。
NAND／SSD 儲存 ↗
儲存資料用的非揮發性記憶體；SSD 還有控制器與韌體。不是 GPU 旁的 HBM，也不能把 NAND 當作運算快取。
NAND 記憶體晶粒 ↗
非揮發性儲存陣列。3D NAND 的垂直儲存層與 HBM 疊多顆 DRAM 的方式不同。
SSD／Flash 控制器 ↗
SSD 的交通指揮：把主機命令轉成 NAND 讀寫，處理錯誤修正、磨耗平均與壞區；控制器本身不等於 NAND 儲存晶片。
SLC NAND／嵌入式 Flash ↗
每個儲存單元存 1 bit，常用於嵌入式系統。與把 TLC／QLC 暫時以單 bit 模式操作的 pSLC 快取不同。
NOR Flash 程式碼儲存 ↗
保存開機程式、韌體與控制碼，斷電仍留存。與 SSD 用的大容量 NAND 分開；常見 SPI／Octal 等介面依料號。
HDD 機械式硬碟 ↗
旋轉磁碟片保存資料，讀寫臂定位磁頭。適合大量資料、備份與容量型儲存；Western Digital 位在這裡，SanDisk 的 NAND／SSD 是另一條分支。
記憶體晶圓代工 ↗
依客戶設計在晶圓上製造 DRAM／Flash。這是製造服務，與自有品牌記憶體條分開。
記憶體封裝與測試 ↗
晶片製成後封裝、量測並做可靠度篩選，確認可用。封測廠提供加工服務，不應被標成 DRAM 晶片設計廠。
台灣晶片廠：規格怎麼對照？
| 公司 | 產品世代／類型 | 規格重點 | 分工 |
|---|---|---|---|
| 南亞科 ↗ | DDR3、DDR4、DDR5；LPDDR 系列 | DRAM 產品總範圍涵蓋 512Mb–16Gb；各世代可選密度與速度需看料號。 | DRAM 晶片製造 |
| 華邦電 ↗ | 利基 DDR3／DDR4、LPDDR4／4X；NOR／SLC NAND | DDR4 已有 16nm 8Gb 產品；低功耗與 Flash 需分開看。 | 記憶體晶片製造 |
| 晶豪科 ↗ | SDR 到 DDR4；PSRAM、SLC NAND | DDR4 系列支援至 3200Mbps；可選容量／溫度依料號。 | 利基記憶體 IC 設計 |
| 鈺創 ↗ | DDR3、DDR4、LPDDR4／4X | 工業產品表：DDR3 512Mb–8Gb；DDR4 4–8Gb；LPDDR4／4X 1–8Gb。 | 利基 DRAM IC 設計 |
| 愛普* ↗ | PSRAM、低功耗記憶體 | QSPI／OPI、UHS 等產品系列；不是桌機 DDR5 DIMM。 | 低功耗記憶體 IC 設計 |
| 旺宏 ↗ | NOR、SLC NAND | 非揮發性儲存；介面、密度、溫度與壽命依產品。 | Flash 晶片製造 |
公司到底做哪一段？
晶片製造／設計
南亞科 ↗
TW · 2408
DRAM 晶片製造；DDR3、DDR4、DDR5，密度與速度依料號。
華邦電 ↗
TW · 2344
利基型 DDR3／DDR4、低功耗記憶體；另外供應 NOR 與 SLC NAND。
晶豪科 ↗
TW · 3006
利基型 SDR／DDR／DDR2／DDR3／DDR4 晶片設計及 SLC NAND。
鈺創 ↗
TW · 5351
利基 DRAM 設計：DDR3 512Mb–8Gb、DDR4 4–8Gb、LPDDR4／4X 1–8Gb；範圍依產品表。
愛普* ↗
TW · 6531
PSRAM 與低功耗記憶體設計，面向 IoT／嵌入式裝置。
旺宏 ↗
TW · 2337
NOR Flash 與 SLC NAND；保存韌體、程式碼與嵌入式資料。
模組整合
威剛 ↗
TW · 3260
DDR3／DDR4／DDR5 記憶體模組；整合 DRAM 晶片、PCB 與測試，規格依各產品系列。
創見 ↗
TW · 2451
DDR3／DDR4／DDR5 記憶體模組；整合 DRAM 晶片、PCB 與測試，規格依各產品系列。
十銓 ↗
TW · 4967
DDR3／DDR4／DDR5 記憶體模組；整合 DRAM 晶片、PCB 與測試，規格依各產品系列。
宇瞻 ↗
TW · 8271
DDR3／DDR4／DDR5 記憶體模組；整合 DRAM 晶片、PCB 與測試，規格依各產品系列。
宜鼎 ↗
TW · 5289
DDR3／DDR4／DDR5 記憶體模組；整合 DRAM 晶片、PCB 與測試，規格依各產品系列。
品安 ↗
TW · 8088
DDR3／DDR4／DDR5 記憶體模組；整合 DRAM 晶片、PCB 與測試，規格依各產品系列。
廣穎電通 ↗
TW · 4973
DDR3／DDR4／DDR5 記憶體模組；整合 DRAM 晶片、PCB 與測試，規格依各產品系列。
控制器
群聯 ↗
TW · 8299
NAND 控制器、韌體與 SSD 解決方案；管理讀寫、錯誤修正及磨耗平均。
慧榮 ↗
US · SIMO
台灣研發背景、美國掛牌；PCIe NVMe／SATA SSD 控制器。
點序 ↗
TW · 6485
SSD、eMMC 等 Flash 控制晶片設計。
晶圓代工
力積電 ↗
TW · 6770
DRAM／Flash 晶圓代工服務；依客戶設計製造。
封裝／測試
華東（8110）↗：記憶體封裝與測試服務。
美國記憶體／儲存
Micron ↗
US · MU
DRAM 晶片與模組；DDR、LPDDR、GDDR、HBM 分屬不同產品線。
SanDisk ↗
US · SNDK
獨立上市的 NAND Flash／SSD 事業；2025 年完成與 Western Digital 分拆。
Western Digital ↗
US · WDC
HDD 硬碟與資料中心儲存產品；分拆後 Flash／SSD 業務屬 SanDisk。
韓國記憶體集團
Samsung ↗
KR · 005930
韓國三星電子；DDR、LPDDR、GDDR 與 HBM，以及 NAND／SSD。
SK hynix ↗
KR · 000660
韓國 SK 海力士；DDR5、LPDDR5X／SOCAMM2、HBM 與 NAND／企業 SSD。
Solidigm ↗
KR · SK hynix 子公司
SK hynix 旗下美國子公司，提供企業 SSD；沒有獨立股票代號。